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BUL45D2G PDF下载
- 大小：142K
- 厂家：ON Semiconductor
- 描述： RF Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:400V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):22V; Power Dissipation, Pd:75W; DC Current Gain Min (hfe):22; Package/Case:3-TO-220 ;RoHS Compliant: Yes
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